2021微电子学每日一练10-14

来源:总题库 时间:2021-10-14 16:29:02

1、21世纪硅微电子技术的主要发展方向有哪些?

2、集成电路的性能指标有哪些?

3、PN结总的电容应该包括势垒电容和()之和。

4、MOSIC的缺点是()。

5、常用来制造半导体发光二极管的材料是直接跃迁晶体材料。

6、平带电压

7、列出逻辑模拟中的主要延迟模型,并给出简单说明。

8、集成电路技术发展的方向有哪些?尽可能描述。

9、MPW多项目晶圆

10、CMOS